| PART |
Description |
Maker |
| SFH435012 Q65110A2091 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4235 Q65110A8900 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH426 SFH421 Q62703-P0331 Q62702-P1055 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，在SMT Geh锓包GaAlA红外发射
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in 3.0 SMT-Gehuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
|
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| Q62703-Q1090 SFH483E7800 SFH483 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 发动器，红外Lumineszenzdiode GaAlA红外发射
From old datasheet system
|
SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| SFH420 SFH425 Q62702-P0330 Q62702-P1690 |
Mica Film Capacitor; Capacitance:33pF; Capacitance Tolerance: /- 5 %; Working Voltage, DC:300V
GaAs-IR-Lumineszenzdiode 0.5 in SMT-Gehuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
From old datasheet system
|
Siemens Semiconductor G...
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
|
| Q62702P5053 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
|
OSRAM GmbH
|
| Q62703Q6175 Q62703Q1094 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
|
OSRAM GmbH
|
| Q62702P5302 Q62702P5303 SFH4881 |
IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Geh?use
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4244 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
|
OSRAM GmbH
|
| SFH4205 |
(SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode
|
Infineon Technologies
|
| SFH4500 SFH4505 |
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
|
OSRAM GmbH
|
