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GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 4211
Wesentliche Merkmale * GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad * Gute Linearitat (Ie = f [IF]) bei hohen Stromen * Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb moglich * Hohe Zuverlassigkeit * Hohe Impulsbelastbarkeit * Oberflachenmontage geeignet * Gegurtet lieferbar * SFH 4211 Gehausegleich mit SFH 320 Anwendungen * Miniaturlichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser * Industrieelektronik * Messen/Steuern/Regeln" * Automobiltechnik * Sensorik * Alarm- und Sicherungssysteme * IR-Freiraumubertragung Typ Type Bestellnummer Ordering Code
Features * Very highly efficient GaAs-LED * Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents * DC (with modulation) or pulsed operations are possible * High reliability * High pulse handling capability * Suitable for surface mounting (SMT) * Available on tape and reel * SFH 4211 same package as SFH 320 Applications * Miniature photointerrupters * Industrial electronics * For drive and control circuits * Automotive technology * Sensor technology * Alarm and safety equipment * IR free air transmission
Gehause Package Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED(R)
SFH 4211
Q62702-P1825
2000-08-24
1
SFH 4211
Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 100 5 100 3 160 450 Einheit Unit C V mA A mW K/W
Top; Tstg VR IF IFSM Ptot
Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei RthJA Montage auf FR4 Platine, Padgroe je 16 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each Warmewiderstand Sperrschicht - Lotstelle bei RthJS Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktiven Chipflache Dimensions of the active chip area Symbol Symbol peak
200
K/W
Wert Value 950
Einheit Unit nm
55
nm
60 0.09 0.3 x 0.3
Grad deg. mm2 mm
A LxB LxW
2000-08-24
2
SFH 4211
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Parameter Schaltzeiten, e von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, e from 10% to 90% and from 90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Kapazitat, Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung, Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom, Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu, Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, Symbol Symbol Wert Value 0.5 Einheit Unit s
tr, tf
Co
25
pF
VF VF IR
1.3 ( 1.5) 1.9 ( 2.5) 0.01 ( 1)
V V A
e
20
mW
TCI
- 0.55
%/K
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA
TCV TC
- 1.5 + 0.3
mV/K nm/K
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3
SFH 4211
Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Radiant Intensity Ie in Axial Direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Radiation Characteristics Srel = f ()
40 30 20 10 0
OHL01660
Symbol Ie
Werte Values > 2.5
Einheit Unit mW/sr
Ie typ.
45
mW/sr
1.0
50
0.8
0.6 60 0.4 70 0.2 80 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 0
2000-08-24
4
SFH 4211
Relative Spectral Emission Irel = f ()
100 %
OHR01938
Radiant Intensity
e = f (IF) e 100 mA
OHR01551
Single pulse, tp = 20 s
e e 100 mA 10 2 A
Permissible Pulse Handling Capability IF = f (tp), duty cycle D = parameter, TA = 20 C
10 4
OHR00860
rel
80
F mA 5
D = 0.005
0.01
tp D= tp T T
F
10 1
60
0.02
10 0
10 3
0.1 0.2
0.05
40
5
10 -1
20
0.5
0 880
920
960
1000
nm
1060
10 -2 10 -3
10 -2
10 -1
10 0 A F
10 1
DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp
IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s
10 1
OHR01554
Forward Current
Max. Permissible Forward Current IF = f (TA)
120
OHR00883
F
A
I F mA
100
10 0
80
RthjA = 450 K/W
10
-1
60
40
10
-2
20
10 -3
0
1
2
3
4
5
6
V VF
8
0
0
20
40
60
80
100 C 120
TA
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5
SFH 4211
Mazeichnung Package Outlines
3.0 (0.118) 2.6 (0.102) 2.3 (0.091) 2.1 (0.083)
2.1 (0.083) 1.7 (0.067) 0.1 (0.004) (typ.) 0.9 (0.035) 0.7 (0.028)
(2.4) (0.095)
1.1 (0.043)
3.7 (0.146) 3.3 (0.130) 41
0.18 (0.007) 0.12 (0.005)
3.4 (0.134) 3.0 (0.118)
Cathode marking
0.5 (0.020)
0.6 (0.024) 0.4 (0.016)
GPLY6724
Mae werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
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6
SFH 4211
Lothinweise Soldering Conditions Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplotung Dip, Wave and Drag Soldering Lotbadtemperatur Maximal zulassige Lotzeit Abstand Lotstelle - Gehause Reflowlotung Reflow Soldering Lotzonentemperatur Maximale Durchlaufzeit
Temperature Max. Perm. Distance of the Soldering Time between Soldering Bath Solder Joint and Case TOPLED(R) 260 C 10 s -
Temperature of Soldering Zone 245 C
Max. Transit Time
10 s
Zusatzliche Informationen uber allgemeine Lotbedingungen erhalten Sie auf Anfrage. For additional information on general soldering conditions please contact us.
2000-08-24
7

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Price & Availability of SFH4211

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